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导读：2018年全球闪存峰会上，中国科学院刘明院士在关于“半导体发展态势与机遇”的演讲中，强调了半导体产业需要同时兼顾共性和原创性的发展。
研发人员始终坚持创新和突破的信念。一年前，刘明院士领导的微电子研究所重点实验室在三维存算一体芯片领域取得了重要进展。他们研发了基于三维阻变存储器存内计算宏芯片，有效地解决了阻变存储器在大规模神经网络应用中所面临的挑战，解决了传统并行字线输入原位乘累加方案下由于三维阻变存储器阵列单元电导波动引起的不可恢复的读出电流失真等问题，提高了大脑MRI边缘检测的准确性和CIFAR10数据集推理的精度。
最近，有业界报道称，刘明院士团队提出了一种考虑温度效应的铁电阵列操作方法，目前已在128kb 1T1C FeRAM阵列上得到验证，证明该方法可以实现在高温下可靠性较高的操作。
据了解，铁电存储器（FeRAM）具有可微缩性和CMOS工艺兼容性等优势，但其性能受温度影响较大。因此，减轻温度对FeRAM阵列性能的影响成为一个重要课题。
研究人员发现，在铁电阵列操作中，传统的操作方法在高温下容易导致误读。通过材料表征和电学测量等手段，研究团队系统地分析了剩余极化在高温下降低的原因。结果表明，由于电子去俘获引起的内建电场增加，导致剩余极化值降低。因此，研究人员建立了一种考虑温度效应的动态蒙特卡洛模型，在仿真技术的帮助下成功减轻了温度对操作电压的影响。
半导体存储器分为易失性和非易失性两种，刘明院士认为，易失性存储器在过去几十年间没有取得很大变化，主要以静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）为主，而非易失性存储器不断涌现出新技术，如铁电存储器（FRAM）、相变存储器（PRAM）、磁存储器（MRAM）和阻变存储器（RRAM）等。关于闪存技术的演进、市场变化和趋势等更多话题将在2023年全球闪存峰会上进行讨论，敬请关注。
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